Codice costruttore

2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, Tipo P, 3.9 A 20 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin SI3585CDV-T1-GE3

Codice RS:: 180-7911
Codice costruttore:: SI3585CDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, Tipo P, 3.9 A 20 V, TSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin SI3585CDV-T1-GE3

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200 - 480	0,344 €	6,88 €
500 - 980	0,264 €	5,28 €
1000 - 1980	0,207 €	4,14 €
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Codice RS:: 180-7911
Codice costruttore:: SI3585CDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	3.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.4W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12 V
	Configurazione transistor	Duale
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1mm
	Lunghezza	3.05mm
	Larghezza	1.65 mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N, Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 3.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package TSOP
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V
	Configurazione transistor Duale
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1mm
	Lunghezza 3.05mm
	Larghezza 1.65 mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET Vishay a doppio canale a montaggio superficiale (sia a canale P che N) è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 20V. Il MOSFET ha una resistenza drain-source di 58mohm a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha correnti di drain continue di 3,9 a e 2,1 A. Ha una potenza nominale massima di 1,4 W e 1,3 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• convertitori c.c./c.c.

• driver: Motore, solenoide, relè

• interruttore di distribuzione di carico per dispositivi portatili

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato