MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.1 Ω Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHA100N60E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4970
Codice costruttore:
SIHA100N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

E

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.3mm

Larghezza

4.7 mm

Altezza

15.3mm

Standard automobilistico

No

Serie E MOSFET di potenza.

Tecnologia della serie E di quarta generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

APPLICAZIONI

Alimentatori per server e telecomunicazioni

Alimentatori modalità switching (SMPS)

Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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