MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.1 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHA100N60E-GE3

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Codice RS:
188-4870
Codice costruttore:
SIHA100N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

E

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

15.3mm

Lunghezza

10.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 12 A - SIHA100N60E-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e conversione di potenza in gruppi a foro passante. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto agli ambienti più difficili ed è progettato per applicazioni che richiedono una corrente di drenaggio consistente e una gestione della tensione di drenaggio-sorgente elevata, utilizzando un contenitore TO‐220 per il montaggio convenzionale.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità di drenaggio a 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 12 A supporta correnti di carico sostanziali
• Rds(on) di 0,1 Ω riduce le perdite di conduzione nei circuiti di potenza
• La dissipazione di 35 W consente una gestione prolungata della potenza in condizioni di raffreddamento ambientale
• La carica di gate tipica di 33 nC consente di controllare l'energia di azionamento del gate
• L'azionamento gate massimo di 30 V garantisce un robusto margine di overdrive del gate

Applicazioni


• Adatto per alimentatori a commutazione collegati alla rete
• Ideale per gli stadi dell'inverter del motore ad alta tensione
• Utilizzato con topologie del convertitore boost discreto
• Può essere utilizzato per i sistemi di ricarica delle batterie industriali
• Adatto per la correzione del fattore di potenza frontali

Quali sono i limiti termici per l'uso continuo?


Il dispositivo può funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'implementazione in ambienti a bassa e alta temperatura con un'adeguata gestione termica.

Quale approccio di imballaggio e montaggio utilizza?


Viene fornito in una custodia TO‐220 progettata per il montaggio a foro passante, facilitando il fissaggio del dissipatore e un fissaggio meccanico affidabile.

Quali sono i vincoli del gate-drive che devono essere osservati?


La tensione gate-source non deve superare 30 V, pertanto i driver gate devono essere selezionati per mantenere Vgs entro questo limite durante la commutazione di transienti.

In che modo la tensione diretta influisce sulla progettazione dei circuiti?


Con una tensione diretta di 1,2 V, i progettisti devono tenere conto di questa caduta quando calcolano le perdite di conduzione e il carico termico in configurazioni in serie o sincrone.

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