MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.1 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHA100N60E-GE3
- Codice RS:
- 188-4870
- Codice costruttore:
- SIHA100N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.1Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 35W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.3mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Altezza | 15.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.1Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 35W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.3mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Altezza 15.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 12 A - SIHA100N60E-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e il controllo della potenza in sistemi elettrici impegnativi. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è fornito in un contenitore TO-220 a foro passante con tre pin per un facile montaggio su circuito stampato. Il componente è destinato all'uso nei casi in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un assemblaggio pratico.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 12 A supporta correnti di carico moderate
• L'Rds(on) di 0,1 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 33 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• La dissipazione di potenza di 35 W consente una gestione del carico termico sostanziale
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C supporta l'uso a temperature elevate
• La corrente di drenaggio continua di 12 A supporta correnti di carico moderate
• L'Rds(on) di 0,1 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 33 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• La dissipazione di potenza di 35 W consente una gestione del carico termico sostanziale
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C supporta l'uso a temperature elevate
Applicazioni
• Adatto per le fasi di azionamento dei motori ad alta tensione nelle apparecchiature di automazione
• Ideale per alimentatori a commutazione che gestiscono tensioni elevate
• Utilizzato per gli elementi di commutazione degli inverter e dei convertitori industriali
• Può essere utilizzato per circuiti di pilotaggio relè e contattore nei pannelli di controllo
• Ideale per alimentatori a commutazione che gestiscono tensioni elevate
• Utilizzato per gli elementi di commutazione degli inverter e dei convertitori industriali
• Può essere utilizzato per circuiti di pilotaggio relè e contattore nei pannelli di controllo
Quale metodo di montaggio è necessario per un'installazione affidabile?
Il dispositivo utilizza uno stile di montaggio a foro passante in un corpo TO-220, fornendo un collegamento meccanico e termico sicuro quando saldato su un circuito stampato e opzionale avvitato a un dissipatore tramite la linguetta del contenitore.
In che modo l'intervallo di tensione del gate influisce sulla progettazione dei circuiti di controllo?
Il valore nominale massimo gate-source è di 30 V, pertanto i gate drive devono rimanere entro questo limite e in genere funzionano a tensioni di livello logico comuni compatibili con il controllo a canale N in modalità di potenziamento.
Quali temperature ambientali estreme può tollerare durante il funzionamento?
È classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti industriali a bassa e alta temperatura.
Ci sono considerazioni normative o relative ai materiali per lo smaltimento o il riutilizzo?
Il componente è conforme alla direttiva RoHS, che indica l'uso limitato di determinate sostanze pericolose nella sua produzione.
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