Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 65 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 134-9170
Codice costruttore:: SIHP065N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 65 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:: 134-9170
Codice costruttore:: SIHP065N60E-GE3
Costruttore:: Vishay

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	E
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	65mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	250W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	49nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	15.49mm
	Lunghezza	10.51mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package TO-220
	Serie E
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 250W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 15.49mm
	Lunghezza 10.51mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor

I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS).

Caratteristiche

Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Bassa resistenza (RDS(on))

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Commutazione rapida

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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