MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 65 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, TO-220, Foro passante SIHP065N60E-GE3
- Codice RS:
- 134-9709
- Codice costruttore:
- SIHP065N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 134-9709
- Codice costruttore:
- SIHP065N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 49nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.51mm | |
| Altezza | 15.49mm | |
| Larghezza | 4.65 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.51mm | ||
Altezza 15.49mm | ||
Larghezza 4.65 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor
I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS).
Caratteristiche
Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg
Bassa capacità di ingresso (Ciss)
Bassa resistenza (RDS(on))
Carica del gate ultrabassa (Qg)
Commutazione rapida
Perdite di conduzione e commutazione ridotte