MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 45 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPA65R045C7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4883
Codice costruttore:
IPA65R045C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

IPA65R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET supergiunzione Infineon CoolMOS™ C7 è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa al mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico.

Margine di sicurezza migliorato e adatto per applicazioni SMPS e inverter solare

Perdite di conduzione/contenitore minimo

Basse perdite di commutazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Aumento della densità di potenza

Eccellente qualità CoolMOS™

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