MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 1.35 Ω, 4.4 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Superficie SIHP5N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-9919
Codice costruttore:
SIHP5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

E

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.52mm

Larghezza

4.65mm

Altezza

15.85mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua massima 4,4 A - SIHP5N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di conversione e controllo di potenza. Funziona come un dispositivo a canale N in grado di gestire tensioni drain-source elevate, destinato ad applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche robuste.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,4 A consente una gestione del carico moderata
• L'Rds(on) di 1,35 Ω riduce le perdite di conduzione alla corrente di esercizio
• La dissipazione di potenza di 62,5 W supporta il ciclo di potenza sostenuto
• La tolleranza del gate di 30 V consente ampi margini di azionamento del gate
• La carica tipica del gate da 16,5 nC favorisce un comportamento di commutazione prevedibile

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching che gestiscono guide c. c. elevate
• Ideale per le fasi di commutazione front-end per azionamento di motori industriali
• Utilizzato per circuiti a morsetto o snubber ad alta tensione nei sistemi di alimentazione
• Può essere utilizzato per interruttori boost-converter isolati nell'automazione

In quale intervallo termico può funzionare il dispositivo?


Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ampie temperature ambientali.

Come viene gestito il montaggio per l'assemblaggio del circuito stampato?


Il contenitore è di tipo a montaggio superficiale TO-220AB con tre pin per opzioni di attacco su scheda passante o dissipatore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo tenere presente?


La tensione nominale gate-source è di 30 V, pertanto i driver gate devono limitare le escursioni entro tale soglia per evitare danni.

Quanto è grande l'impatto energetico tipico del gate drive?


Il dispositivo presenta una carica di gate tipica di 16,5 nC, che fornisce informazioni sulle dimensioni del driver e sui calcoli della perdita di commutazione.

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