MOSFET Vishay, canale N 800 V, 250 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHA17N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-4961
Codice costruttore:
SIHA17N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-220

Serie

E

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

62nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.7mm

Lunghezza

28.1mm

Altezza

4.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore a cavo sottile TO-220 FULLPAK con corrente di drain 7 A.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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