MOSFET Vishay, canale N 850 V, 250 mΩ Miglioramento, 165.3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHP21N80AEF-GE3

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Codice RS:
228-2878
Codice costruttore:
SIHP21N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

165.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-220

Serie

E

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

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