MOSFET Vishay, canale N, 1.35 Ω, 3 A, TO-220 FP, Su foro
- Codice RS:
- 228-2839
- Codice costruttore:
- SiHA5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
0,993 €
(IVA esclusa)
1,211 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,993 € | 49,65 € |
| 100 - 200 | 0,943 € | 47,15 € |
| 250 + | 0,894 € | 44,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2839
- Codice costruttore:
- SiHA5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Bassa capacità effettiva (Co(er))
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 3 A |
| Tensione massima drain source | 850 V |
| Serie | E Series |
| Tipo di package | TO-220 FP |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 1.35 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
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