MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 184 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 228-2836
Codice costruttore:: SIHA24N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 184 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

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Codice RS:: 228-2836
Codice costruttore:: SIHA24N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	850V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	E
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	184mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Dissipazione di potenza massima Pd	35W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	59nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V
	Tipo di package TO-220
	Serie E
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 184mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Dissipazione di potenza massima Pd 35W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 59nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHA24N80AE-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 9 A - SIHA24N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento di tipo N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza nei sistemi elettronici industriali. È fornito in un contenitore a foro passante TO-220 per un montaggio semplice e un'interfaccia termica, ed è adatto per apparecchiature in cui è richiesta una robusta gestione della tensione drain-source e una capacità di corrente moderata.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione massima drain-source di 850 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 9 A che consente la gestione di carichi moderati
• Rds(on) di 184 mΩ che fornisce perdite di conduzione prevedibili
• Carica gate tipica 59 nC che consente l'energia di commutazione controllata
• Dissipazione di potenza di 35 W per un notevole ingombro termico
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C supporta ambienti a temperatura elevata

Applicazioni

• Adatto per alimentatori che richiedono componenti di commutazione ad alta tensione
• Ideale per circuiti gate-stage di azionamento di motori industriali
• Utilizzato per circuiti a morsetto e snubber ad alta tensione nei sistemi di automazione
• Può essere utilizzato per la commutazione lato linea in apparecchiature di illuminazione e controllo
• Adatto per prototipi e schede di produzione che necessitano di montaggio a foro passante

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare per un funzionamento sicuro?

La tensione gate-sorgente non deve superare 30 V per evitare di sovratensione del dielettrico gate.

In che modo la gestione termica influisce sulla capacità di corrente continua?

La dissipazione nominale di 35 W suppone un dissipatore di calore efficace

senza percorsi termici adeguati, la temperatura di giunzione aumenterà e la capacità di corrente continua sarà ridotta.

Questo dispositivo è adatto per applicazioni automobilistiche che richiedono standard automobilistici specifici?

Non è designato secondo gli standard specifici per il settore automobilistico e deve essere valutato in base ai requisiti di qualificazione a livello di veicolo prima dell'uso.

Quali sono i compromessi di commutazione previsti data la carica gate e Rds(on)?

La carica di gate moderata combinata con una resistenza di accensione di 184 mΩ indica un equilibrio tra perdite di commutazione e perdite di conduzione

la resistenza dell'azionamento del gate e la frequenza di commutazione determinano l'efficienza complessiva.