MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 250 mΩ Miglioramento, 165.3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHP21N80AEF-GE3
- Codice RS:
- 228-2879
- Codice costruttore:
- SIHP21N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,67 € | 18,35 € |
| 50 - 120 | 3,304 € | 16,52 € |
| 125 - 245 | 3,12 € | 15,60 € |
| 250 - 495 | 2,68 € | 13,40 € |
| 500 + | 2,314 € | 11,57 € |
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- Codice RS:
- 228-2879
- Codice costruttore:
- SIHP21N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 165.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 250mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 47nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 165.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 47nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza serie e Vishay ha ridotto le perdite di conduzione e commutazione.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))