MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 184 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SIHA24N80AE-GE3
- Codice RS:
- 228-2837
- Codice costruttore:
- SIHA24N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2837
- Codice costruttore:
- SIHA24N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 184mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 35W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 184mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 35W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 59nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua massima 9 A - SIHA24N80AE-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento di tipo N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza nei sistemi elettronici industriali. È fornito in un contenitore a foro passante TO-220 per un montaggio semplice e un'interfaccia termica, ed è adatto per apparecchiature in cui è richiesta una robusta gestione della tensione drain-source e una capacità di corrente moderata.
Caratteristiche e vantaggi:
• Tensione massima drain-source di 850 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 9 A che consente la gestione di carichi moderati
• Rds(on) di 184 mΩ che fornisce perdite di conduzione prevedibili
• Carica gate tipica 59 nC che consente l'energia di commutazione controllata
• Dissipazione di potenza di 35 W per un notevole ingombro termico
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C supporta ambienti a temperatura elevata
• Corrente di drenaggio continua di 9 A che consente la gestione di carichi moderati
• Rds(on) di 184 mΩ che fornisce perdite di conduzione prevedibili
• Carica gate tipica 59 nC che consente l'energia di commutazione controllata
• Dissipazione di potenza di 35 W per un notevole ingombro termico
• La temperatura d'esercizio massima di 150 °C supporta ambienti a temperatura elevata
Applicazioni
• Adatto per alimentatori che richiedono componenti di commutazione ad alta tensione
• Ideale per circuiti gate-stage di azionamento di motori industriali
• Utilizzato per circuiti a morsetto e snubber ad alta tensione nei sistemi di automazione
• Può essere utilizzato per la commutazione lato linea in apparecchiature di illuminazione e controllo
• Adatto per prototipi e schede di produzione che necessitano di montaggio a foro passante
• Ideale per circuiti gate-stage di azionamento di motori industriali
• Utilizzato per circuiti a morsetto e snubber ad alta tensione nei sistemi di automazione
• Può essere utilizzato per la commutazione lato linea in apparecchiature di illuminazione e controllo
• Adatto per prototipi e schede di produzione che necessitano di montaggio a foro passante
Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare per un funzionamento sicuro?
La tensione gate-sorgente non deve superare 30 V per evitare di sovratensione del dielettrico gate.
In che modo la gestione termica influisce sulla capacità di corrente continua?
La dissipazione nominale di 35 W suppone un dissipatore di calore efficace
senza percorsi termici adeguati, la temperatura di giunzione aumenterà e la capacità di corrente continua sarà ridotta.
Questo dispositivo è adatto per applicazioni automobilistiche che richiedono standard automobilistici specifici?
Non è designato secondo gli standard specifici per il settore automobilistico e deve essere valutato in base ai requisiti di qualificazione a livello di veicolo prima dell'uso.
Quali sono i compromessi di commutazione previsti data la carica gate e Rds(on)?
La carica di gate moderata combinata con una resistenza di accensione di 184 mΩ indica un equilibrio tra perdite di commutazione e perdite di conduzione
la resistenza dell'azionamento del gate e la frequenza di commutazione determinano l'efficienza complessiva.
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