MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SiHA5N80AE-GE3
- Codice RS:
- 228-2840
- Codice costruttore:
- SiHA5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
8,70 €
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10,60 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,74 € | 8,70 € |
| 50 - 245 | 1,652 € | 8,26 € |
| 250 - 495 | 1,562 € | 7,81 € |
| 500 - 1245 | 1,478 € | 7,39 € |
| 1250 + | 1,128 € | 5,64 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2840
- Codice costruttore:
- SiHA5N80AE-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.35Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 29W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 29W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione drain‐source 850 V, corrente di drenaggio continua massima 3 A - SiHA5N80AE-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 3 A supporta correnti di carico moderate
• la resistenza drain-source di 1,35 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 29 W consente un carico termico sostenuto
• La carica di gate tipica di 11 nC migliora l'efficienza di commutazione
• La tolleranza gate-sorgente ±30 V protegge la flessibilità del gate drive
Applicazioni
• Ideale per i front-end di azionamento di motori industriali con componenti discreti
• Utilizzato per il controllo del ballast di illuminazione in sistemi ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione dello stadio dell'inverter nella conversione di potenza
A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?
In che modo la scelta del contenitore influisce sulla gestione termica?
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per questo dispositivo?
Il dispositivo è conforme alle restrizioni sulle sostanze ambientali?
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