MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 1.35 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante SiHA5N80AE-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,96 €

(IVA esclusa)

10,93 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 850 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,792 €8,96 €
50 - 2451,702 €8,51 €
250 - 4951,608 €8,04 €
500 - 12451,522 €7,61 €
1250 +1,162 €5,81 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2840
Codice costruttore:
SiHA5N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

E

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.35Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua 3 A - SiHA5N80AE-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per attività di commutazione e amplificazione in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo termico ed è fornito in un contenitore TO‐220 a foro passante per un facile montaggio su scheda, il che lo rende adatto per assemblaggi industriali in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un montaggio accessibile.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 850 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 3 A supporta correnti di carico moderate
• La dissipazione di potenza di 29 W consente un carico termico sostenuto
• Rds(on) di 1,35 Ω fornisce perdite di conduzione prevedibili
• La carica gate tipica di 11 nC garantisce requisiti di gate‐drive gestibili
• La tensione di gate massima di 30 V consente le comuni tensioni di gate‐drive

Applicazioni


• Adatto per fasi di conversione di potenza ad alta tensione
• Ideale per i frontali di azionamento di motori industriali
• Utilizzato con alimentatori di commutazione snubber e inverter
• Può essere utilizzato per apparecchiature di test di laboratorio ad alta tensione
• Adatto per implementazioni di interruttori discreti nel controllo dell'alimentazione

Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, coprendo un'ampia gamma di operazioni industriali.

Come viene montato e integrato nei progetti precedenti?


Il componente viene fornito in un formato a foro passante TO‐220, facilitando l'attacco del dissipatore a saldare o avvitare e la facile sostituzione sulle schede convenzionali.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere rispettate?


Assicurarsi che l'ampiezza dell'azionamento del gate non superi i 30 V e fornire una forza di azionamento sufficiente per la carica tipica del gate di 11 nC per ottenere le velocità di commutazione desiderate.

È adatto per progetti certificati nel settore automobilistico?


Non è fornito con omologazione standard automobilistica e non deve essere considerato conforme ai requisiti di qualificazione specifici del veicolo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.