MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 184 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante

Codice RS:: 169-5791
Codice costruttore:: SIHG20N50E-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 184 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 25 unità*

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Codice RS:: 169-5791
Codice costruttore:: SIHG20N50E-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	500V
	Serie	E
	Tipo di package	TO-247AC
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	184mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	179W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	46nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5.31mm
	Altezza	20.82mm
	Lunghezza	15.87mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V
	Serie E
	Tipo di package TO-247AC
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 184mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 179W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5.31mm
	Altezza 20.82mm
	Lunghezza 15.87mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, corrente di drenaggio continua massima 19 A - SIHG20N50E-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza in sistemi industriali ed elettrici. Funziona in modalità di potenziamento ed è fornito in un contenitore TO-247 a foro passante, il che lo rende adatto per assemblaggi che richiedono un montaggio robusto e una gestione termica semplice. Il dispositivo supporta un'elevata tensione drain-source ed è progettato per applicazioni che richiedono capacità di gestione della potenza e di azionamento del gate elevate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Vds massimo di 500 V che consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 19 A per una gestione del carico consistente
• Rds(on) di 184 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Carica gate tipica 46 nC che consente requisiti di azionamento prevedibili
• Dissipazione di potenza massima di 179 W per la gestione di elevate sollecitazioni termiche
• Tensione massima gate-source di 30 V per un'ampia compatibilità gate-drive

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione nei sistemi di alimentazione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con alimentatori per telecomunicazioni e apparecchiature infrastrutturali
• Può essere utilizzato per topologie di commutazione rigida negli inverter
• Adatto per progetti di alimentazione a foro passante in laboratorio e prototipazione

Entro quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?

Il dispositivo è classificato per un ambiente minimo di -55 °C e una temperatura d'esercizio massima di 150 °C, adattandosi a un'ampia gamma di condizioni ambientali.

In che modo il contenitore supporta il montaggio e la rimozione del calore?

Il contenitore a foro passante TO-247 fornisce un'ampia area di linguetta per il dissipatore di calore e il montaggio sicuro su circuito stampato o telaio per facilitare la gestione termica in applicazioni ad alta dissipazione.

Quali limiti di gate‐drive devono essere rispettati durante la progettazione?

La tensione gate-source non deve superare 30 V per evitare lo stress da ossido gate, e i progettisti devono dimensionare il driver per gestire la carica gate tipica di 46 nC per una commutazione controllata.

Esistono considerazioni per le perdite di commutazione con questo dispositivo?

I progettisti devono considerare sia la perdita di conduzione di 184 mΩ in stato attivo che le perdite dinamiche relative alla carica di gate di 46 nC quando calcolano l'energia di commutazione totale.