MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 130 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, Super-247, Foro passante

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Codice RS:
228-2855
Codice costruttore:
SiHFPS37N50A-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

Super-247

Serie

SiHFPS37N50A

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

446W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie SiHFPS37N50A di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, corrente di drenaggio continua 36 A - SiHFPS37N50A-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento ad alta tensione a canale N progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in sistemi industriali ed elettronici. Si tratta di un componente a foro passante in un contenitore Super-247 progettato per le applicazioni in cui sono necessarie una robusta gestione termica e un'elevata capacità di tensione drain-source. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature ed è specificato per una corrente di drenaggio continua e una dissipazione di potenza sostanziale, il che lo rende adatto per le attività di commutazione di potenza più impegnative.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale drain-source di 500 V che consente la commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 36 A per supportare la gestione di carichi pesanti • Rds(on) di 130 mΩ che riduce le perdite di conduzione sotto carico • Dissipazione di potenza 446 W che migliora la resistenza termica nei circuiti • Carica di gate tipica di 180 nC che facilita i requisiti di azionamento prevedibili • Tensione massima gate-source di 30 V che fornisce un margine comune gate-drive

Applicazioni


• Adatto per inverter industriali e stadi di azionamento motore • Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Può essere utilizzato per moduli di potenza di riscaldamento a induzione e saldatura • Utilizzato con array di rettifica di potenza e commutazione nell'automazione • Adatto per la valutazione del gate-drive nella progettazione dell'elettronica di potenza

Quali sono i limiti termici per i quali devo progettare?


Il dispositivo è classificato per funzionare fino a 150 °C massimo e fino a -55 °C minimo, pertanto la gestione termica deve garantire che la temperatura di giunzione rimanga all'interno di tale intervallo nel peggiore dei casi di dissipazione.

Come devo approcciare la progettazione del gate-drive per questo componente?


Aspettarsi una carica di gate tipica di 180 nC ai Vgs designati

corrente di pilotaggio e pendenza di commutazione per controllare le perdite di commutazione e le EMI di conseguenza.

Quali sono le considerazioni sul contenitore e sul montaggio applicabili?


Viene fornito in un contenitore a foro passante Super-247 con tre pin

garantire un'adeguata dissipazione di calore e rame per circuito stampato per la dissipazione dichiarata di 446 W per gestire la resistenza termica della giunzione all'ambiente.

Ci sono limitazioni di tensione specifiche per il gate?


Il gate non deve superare una tensione massima gate-sorgente di 30 V per evitare danni all'ossido del gate.

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