MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 184 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG20N50E-GE3
- Codice RS:
- 121-9656
- Codice costruttore:
- SIHG20N50E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,955 € | 7,91 € |
| 20 - 98 | 3,725 € | 7,45 € |
| 100 - 198 | 3,365 € | 6,73 € |
| 200 - 498 | 3,17 € | 6,34 € |
| 500 + | 2,97 € | 5,94 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 121-9656
- Codice costruttore:
- SIHG20N50E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 184mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 46nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.31mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 184mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.31mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Altezza 20.82mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, corrente di drenaggio continua 19 A - SIHG20N50E-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 19 A consente una gestione del carico sostanziale
• La dissipazione di potenza 179 W consente un funzionamento ad alta potenza
• L'RDS(on) massimo di 184 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 46 nC riduce l'energia di controllo della commutazione
• Il valore nominale massimo del gate di 30 V consente tensioni di azionamento del gate standard
Applicazioni
• Ideale per assemblaggi di transistor di potenza a foro passante TO-247 da 500 V
• Utilizzato con inverter ad alta tensione e stadi di azionamento motore
• Può essere utilizzato per alimentatori industriali e convertitori
• Utilizzato per riparazioni a foro passante legacy e schede prototipi
Quali sono i limiti termici per l'implementazione in ambienti caldi?
Quale metodo di montaggio è necessario per un'installazione affidabile?
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere consentite durante la progettazione?
In che modo il componente è conforme alle restrizioni sui materiali per la produzione?
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