MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 0.305 Ω Depletion, 6.5 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SiHA17N80AEF-GE3

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Codice RS:
239-8621
Codice costruttore:
SiHA17N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

EF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.305Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 850 V, corrente di drenaggio continua massima di 6,5 A - SiHA17N80AEF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in sistemi elettronici impegnativi. È fornito in un contenitore TO-220 destinato al montaggio superficiale e supporta temperature d'esercizio estese, il che lo rende adatto per applicazioni che richiedono prestazioni ad ampio intervallo termico e robustezza di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 850 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 6.5 A supporta correnti di carico moderate
• L'Rds(on) di 0.305 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica a 63 nC riduce i requisiti energetici di commutazione
• La dissipazione di potenza massima di 34 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C resiste a temperature estreme

Applicazioni


• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per l'elettronica automobilistica conforme ai requisiti AEC‐Q101
• Utilizzato con azionamenti per motori industriali che richiedono una commutazione robusta
• Può essere utilizzato per le fasi SMPS che gestiscono guide ad alta tensione
• Utilizzato per la commutazione di potenza nelle interfacce a energia rinnovabile

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati per un funzionamento sicuro?


Il dispositivo non deve superare una tensione gate-source di 30 V per evitare lo stress da ossido gate.

In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica?


Il contenitore TO-220 consente un efficace dissipatore di calore e supporta la dissipazione di potenza di 34 W dichiarata se montato in modo appropriato.

Quali sono le caratteristiche del canale che influenzano le scelte di topologia del circuito?


Essendo un dispositivo in modalità di esaurimento a canale N, conduce senza gate drive e richiede strategie di polarizzazione del gate per controllare il comportamento in stato disattivato.

Il dispositivo è adatto per ambienti automobilistici regolati?


È conforme alle norme automobilistiche AEC‐Q101 ed è specificato per limiti di temperatura estesi per soddisfare i requisiti del sistema del veicolo.

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