MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 0.305 Ω Depletion, 6.5 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SiHA17N80AEF-GE3

Codice RS:: 239-8621
Codice costruttore:: SiHA17N80AEF-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 0.305 Ω Depletion, 6.5 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SiHA17N80AEF-GE3

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

63,55 €

(IVA esclusa)

77,55 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 1050 unità in spedizione dal 10 agosto 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per Tubo*
50 +	1,271 €	63,55 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 239-8621
Codice costruttore:: SiHA17N80AEF-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	6.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	850V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	EF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.305Ω
	Modalità canale	Depletion
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Dissipazione di potenza massima Pd	34W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	63nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 6.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V
	Tipo di package TO-220
	Serie EF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.305Ω
	Modalità canale Depletion
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Dissipazione di potenza massima Pd 34W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SiHA17N80AEF-GE3

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio 6,5 A - SiHA17N80AEF-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per contesti elettrici e automobilistici impegnativi. Funziona come un dispositivo di esaurimento a canale N in un contenitore superficiale TO-220 a foro passante, fornendo una soluzione compatta per la conversione di potenza e il controllo in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un margine termico.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione massima drain-source di 850 V per applicazioni ad alta tensione • corrente di drenaggio continua di 6,5 A che consente una gestione del carico sostenuta • 0,305 Ω Rds riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • La dissipazione di potenza di 34 W supporta budget termici elevati • Carica gate tipica 63 nC per un controllo di commutazione prevedibile • L'intervallo di funzionamento di ±150 °C/-55 °C offre un'ampia resistenza alle temperature

Applicazioni

• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC ad alta tensione nei sistemi industriali • Ideale per i frontali degli inverter e i circuiti del fattore di potenza • Utilizzato per alimentatori a commutazione nelle apparecchiature di automazione • Può essere utilizzato per l'elettronica di potenza automobilistica conforme ai criteri AEC‐Q101 • Utilizzato con driver gate che richiedono caratteristiche di carica definite

Quali sono i limiti di tensione gate da rispettare durante la progettazione?

Il dispositivo tollera l'escursione del gate fino a 30 V

i progetti devono garantire che i circuiti di azionamento del gate rimangano entro questo limite per evitare la sollecitazione dell'ossido del gate.

Come deve essere implementata la gestione termica per un funzionamento affidabile?

Con una dissipazione nominale di 34 W, collegare un dissipatore idoneo alla linguetta TO‐220 e garantire un flusso d'aria sufficiente per mantenere le temperature di giunzione entro limiti sicuri.

Quali considerazioni si applicano alle perdite di commutazione e alla selezione dei driver?

Con una carica di gate tipica di 63 nC, scegliere un driver in grado di generare e assorbire le correnti di picco richieste per ottenere i tempi di salita/discesa desiderati gestendo al contempo le perdite di commutazione.

Il dispositivo è adatto per i processi di qualificazione automobilistica?

È conforme agli standard AEC‐Q101 per i MOSFET automobilistici, il che lo rende adatto per i progetti che richiedono componenti di livello automobilistico.

Quale polarità elettrica e comportamento del canale devono aspettarsi i progettisti?

Il transistor è un dispositivo di esaurimento del canale N, pertanto la topologia del circuito deve tenere conto della modalità del canale quando si implementano disposizioni di commutazione normalmente on o normalmente off.