MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 850 V, 0.305 Ω Depletion, 6.5 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SiHA17N80AEF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8622
Codice costruttore:
SiHA17N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

TO-220

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.305Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio 6,5 A - SiHA17N80AEF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per contesti elettrici e automobilistici impegnativi. Funziona come un dispositivo di esaurimento a canale N in un contenitore superficiale TO-220 a foro passante, fornendo una soluzione compatta per la conversione di potenza e il controllo in cui è richiesta una robusta gestione della tensione e un margine termico.

Caratteristiche e vantaggi:


• Tensione massima drain-source di 850 V per applicazioni ad alta tensione • corrente di drenaggio continua di 6,5 A che consente una gestione del carico sostenuta • 0,305 Ω Rds riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • La dissipazione di potenza di 34 W supporta budget termici elevati • Carica gate tipica 63 nC per un controllo di commutazione prevedibile • L'intervallo di funzionamento di ±150 °C/-55 °C offre un'ampia resistenza alle temperature

Applicazioni


• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC ad alta tensione nei sistemi industriali • Ideale per i frontali degli inverter e i circuiti del fattore di potenza • Utilizzato per alimentatori a commutazione nelle apparecchiature di automazione • Può essere utilizzato per l'elettronica di potenza automobilistica conforme ai criteri AEC‐Q101 • Utilizzato con driver gate che richiedono caratteristiche di carica definite

Quali sono i limiti di tensione gate da rispettare durante la progettazione?


Il dispositivo tollera l'escursione del gate fino a 30 V

i progetti devono garantire che i circuiti di azionamento del gate rimangano entro questo limite per evitare la sollecitazione dell'ossido del gate.

Come deve essere implementata la gestione termica per un funzionamento affidabile?


Con una dissipazione nominale di 34 W, collegare un dissipatore idoneo alla linguetta TO‐220 e garantire un flusso d'aria sufficiente per mantenere le temperature di giunzione entro limiti sicuri.

Quali considerazioni si applicano alle perdite di commutazione e alla selezione dei driver?


Con una carica di gate tipica di 63 nC, scegliere un driver in grado di generare e assorbire le correnti di picco richieste per ottenere i tempi di salita/discesa desiderati gestendo al contempo le perdite di commutazione.

Il dispositivo è adatto per i processi di qualificazione automobilistica?


È conforme agli standard AEC‐Q101 per i MOSFET automobilistici, il che lo rende adatto per i progetti che richiedono componenti di livello automobilistico.

Quale polarità elettrica e comportamento del canale devono aspettarsi i progettisti?


Il transistor è un dispositivo di esaurimento del canale N, pertanto la topologia del circuito deve tenere conto della modalità del canale quando si implementano disposizioni di commutazione normalmente on o normalmente off.

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