MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 0.31 Ω Depletion, 6.5 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SiHA17N80AEF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8622
Codice costruttore:
SiHA17N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

EF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.31Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay EF è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Basso valore di merito

Bassa capacità effettiva

Basse perdite di conduzione e commutazione

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