MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 0.305 Ω Depletion, 6.5 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SiHA17N80AEF-GE3
- Codice RS:
- 239-8622
- Codice costruttore:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 239-8622
- Codice costruttore:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.305Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 34W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.305Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 34W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie EF di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 850 V, corrente di drenaggio continua massima di 6,5 A - SiHA17N80AEF-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in sistemi elettronici impegnativi. È fornito in un contenitore TO-220 destinato al montaggio superficiale e supporta temperature d'esercizio estese, il che lo rende adatto per applicazioni che richiedono prestazioni ad ampio intervallo termico e robustezza di livello automobilistico.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 850 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 6.5 A supporta correnti di carico moderate
• L'Rds(on) di 0.305 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica a 63 nC riduce i requisiti energetici di commutazione
• La dissipazione di potenza massima di 34 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C resiste a temperature estreme
• La corrente di drenaggio continua di 6.5 A supporta correnti di carico moderate
• L'Rds(on) di 0.305 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica a 63 nC riduce i requisiti energetici di commutazione
• La dissipazione di potenza massima di 34 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C resiste a temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Ideale per l'elettronica automobilistica conforme ai requisiti AEC‐Q101
• Utilizzato con azionamenti per motori industriali che richiedono una commutazione robusta
• Può essere utilizzato per le fasi SMPS che gestiscono guide ad alta tensione
• Utilizzato per la commutazione di potenza nelle interfacce a energia rinnovabile
• Ideale per l'elettronica automobilistica conforme ai requisiti AEC‐Q101
• Utilizzato con azionamenti per motori industriali che richiedono una commutazione robusta
• Può essere utilizzato per le fasi SMPS che gestiscono guide ad alta tensione
• Utilizzato per la commutazione di potenza nelle interfacce a energia rinnovabile
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati per un funzionamento sicuro?
Il dispositivo non deve superare una tensione gate-source di 30 V per evitare lo stress da ossido gate.
In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica?
Il contenitore TO-220 consente un efficace dissipatore di calore e supporta la dissipazione di potenza di 34 W dichiarata se montato in modo appropriato.
Quali sono le caratteristiche del canale che influenzano le scelte di topologia del circuito?
Essendo un dispositivo in modalità di esaurimento a canale N, conduce senza gate drive e richiede strategie di polarizzazione del gate per controllare il comportamento in stato disattivato.
Il dispositivo è adatto per ambienti automobilistici regolati?
È conforme alle norme automobilistiche AEC‐Q101 ed è specificato per limiti di temperatura estesi per soddisfare i requisiti del sistema del veicolo.
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