MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 0.35 Ω Depletion, 6 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SIHA15N80AEF-GE3

Codice RS:: 239-8619
Codice costruttore:: SIHA15N80AEF-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 850 V, 0.35 Ω Depletion, 6 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SIHA15N80AEF-GE3

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

53,60 €

(IVA esclusa)

65,40 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per Tubo*
50 +	1,072 €	53,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 239-8619
Codice costruttore:: SIHA15N80AEF-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	850V
	Serie	EF
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.35Ω
	Modalità canale	Depletion
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	33W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	54nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V
	Serie EF
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.35Ω
	Modalità canale Depletion
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 33W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 850 V, corrente di drenaggio continua 6 A - SIHA15N80AEF-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a semiconduttore ad alta tensione a canale N progettato per attività di commutazione e gestione dell'alimentazione in ambienti difficili. È fornito in un contenitore TO-220 per il montaggio superficiale ed è destinato ad applicazioni che richiedono una robusta capacità ad alta tensione, un comportamento controllato del gate e un funzionamento in un ampio intervallo di temperatura.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drain di 850 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 6 A supporta carichi di media potenza
• Rds(on) di 0.35 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 33 W consente una gestione termica sostenuta
• La carica di gate tipica di 54 nC consente una progettazione prevedibile del gate drive
• Il valore nominale del gate di ±30 V protegge contro l'eccessiva sollecitazione del gate

Applicazioni

• Adatto per convertitori di potenza industriali ad alta tensione
• Ideale per l'elettronica automobilistica che soddisfa le esigenze AEC‐Q101
• Utilizzato con alimentatori switching e inverter
• Può essere utilizzato per la commutazione front-end dell'azionamento del motore
• Adatto per alimentatori ausiliari in ambienti difficili

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C per un'ampia tolleranza ambientale e di giunzione.

In che modo il design del gate drive è influenzato dal dispositivo?

La carica tipica del gate di 54 nC definisce i requisiti energetici del gate e informa i compromessi tra corrente del driver e velocità di commutazione.

Quali sono le considerazioni relative all'imballaggio e al montaggio?

Il contenitore TO-220 è fornito per il montaggio superficiale e offre comode opzioni di collegamento termico per il dissipatore.

Quale polarità e comportamento del canale devono aspettarsi i progettisti?

Il dispositivo è un transistor a canale N con modalità di esaurimento, che richiede strategie di polarizzazione e controllo adeguate nei progetti di circuito.