MOSFET Vishay, canale Tipo N 850 V, 0.22 Ω Depletion, 7 A, 3 Pin, TO-220, Superficie SIHA21N80AEF-GE3

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
239-8623
Codice costruttore:
SIHA21N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

EF

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.22Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay E è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Basso valore di merito

Bassa capacità effettiva

Basse perdite di conduzione e commutazione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.