1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 0.176 Ω, 21 A 600 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin SIHP21N60EF-GE3

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Codice RS:
180-7349
Codice costruttore:
SIHP21N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

EF

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.176Ω

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

84nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.52mm

Lunghezza

14.4mm

Altezza

6.71mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay SIHP21N60EF è un MOSFET di potenza serie EF a canale N con diodo body rapido avente tensione drain-source (Vds) di 600V e tensione gate-source (VGS) 30V. Ha un contenitore TO-220AB. Offre una resistenza RDS (drain-source) di 0,176 ohm a 10VGS. Massima corrente di drain 21A.

MOSFET a diodo rapido per corpo che utilizza la tecnologia serie E.

Trr, Qrr e IRRM ridotti

Bassa figura di merito (FOM): Ron x Qg

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