MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 800 V, 0.483 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Codice RS:
653-139
Codice costruttore:
SIHP11N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

EF

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.483Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per applicazioni di commutazione ad alta tensione. È dotato di un diodo a corpo rapido, una bassa cifra di merito (FOM) e una capacità effettiva ridotta per una maggiore efficienza. Alloggiato in un contenitore TO-220AB, è ideale per server, telecomunicazioni, SMPS e alimentatori di correzione del fattore di potenza.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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