MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 0.483 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 653-139
- Codice costruttore:
- SIHP11N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 653-139
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- SIHP11N80AEF-GE3
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- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.483Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 78W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.483Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 78W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 8 A - SIHP11N80AEF-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di controllo e conversione di potenza industriali. Funziona come transistor in modalità di potenziamento a canale N in un contenitore TO‐220AB a foro passante, offrendo un'opzione pratica per gli ingegneri che richiedono un componente discreto per il montaggio a livello di scheda e la gestione termica in ambienti difficili.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio 800 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 8 A che supporta correnti di carico moderate • Rds(on) 0,483Ω che riduce le perdite di conduzione sotto carico • Dissipazione di potenza di 78 W per un'efficace gestione termica • Carica gate tipica 27 nC per una dinamica di commutazione prevedibile • Temperatura d'esercizio massima di 150 °C per l'uso a temperature elevate
Applicazioni
• Adatto per le estremità frontali dell'azionamento del motore industriale che gestiscono alta tensione • Ideale per gli alimentatori che richiedono elementi di commutazione ad alta tensione • Utilizzato per gli stadi inverter in sistemi elettrici di media potenza • Può essere utilizzato per i circuiti di frenata e snubber nelle apparecchiature di automazione
Quale intervallo di tensione del gate deve essere osservato per un funzionamento sicuro?
Il dispositivo richiede escursioni del gate entro un massimo di ±30 V rispetto alla sua sorgente per evitare sovratensioni del gate.
In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica su una scheda popolata?
Il formato a foro passante TO‐220AB consente il dissipamento diretto alla linguetta posteriore, migliorando la conduzione a un dissipatore esterno e facilitando la rimozione di 78 W di potenza dissipata con un raffreddamento appropriato.
Quali sono le condizioni ambientali che ne limitano l'impiego?
Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C di temperatura di giunzione
il design termico del sistema deve garantire che le temperature di giunzione rimangano al di sotto del limite di 150 °C.
Quali considerazioni sulla commutazione derivano dalla cifra di carica del gate?
Una carica gate tipica di 27 nC consente ai progettisti di stimare i requisiti di corrente di azionamento e le perdite di commutazione durante la selezione di un driver gate e la previsione della temporizzazione di accensione/spegnimento.
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