MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 0.483 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Codice RS:
653-139
Codice costruttore:
SIHP11N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.483Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 8 A - SIHP11N80AEF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di controllo e conversione di potenza industriali. Funziona come transistor in modalità di potenziamento a canale N in un contenitore TO‐220AB a foro passante, offrendo un'opzione pratica per gli ingegneri che richiedono un componente discreto per il montaggio a livello di scheda e la gestione termica in ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio 800 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 8 A che supporta correnti di carico moderate • Rds(on) 0,483Ω che riduce le perdite di conduzione sotto carico • Dissipazione di potenza di 78 W per un'efficace gestione termica • Carica gate tipica 27 nC per una dinamica di commutazione prevedibile • Temperatura d'esercizio massima di 150 °C per l'uso a temperature elevate

Applicazioni


• Adatto per le estremità frontali dell'azionamento del motore industriale che gestiscono alta tensione • Ideale per gli alimentatori che richiedono elementi di commutazione ad alta tensione • Utilizzato per gli stadi inverter in sistemi elettrici di media potenza • Può essere utilizzato per i circuiti di frenata e snubber nelle apparecchiature di automazione

Quale intervallo di tensione del gate deve essere osservato per un funzionamento sicuro?


Il dispositivo richiede escursioni del gate entro un massimo di ±30 V rispetto alla sua sorgente per evitare sovratensioni del gate.

In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica su una scheda popolata?


Il formato a foro passante TO‐220AB consente il dissipamento diretto alla linguetta posteriore, migliorando la conduzione a un dissipatore esterno e facilitando la rimozione di 78 W di potenza dissipata con un raffreddamento appropriato.

Quali sono le condizioni ambientali che ne limitano l'impiego?


Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C di temperatura di giunzione

il design termico del sistema deve garantire che le temperature di giunzione rimangano al di sotto del limite di 150 °C.

Quali considerazioni sulla commutazione derivano dalla cifra di carica del gate?


Una carica gate tipica di 27 nC consente ai progettisti di stimare i requisiti di corrente di azionamento e le perdite di commutazione durante la selezione di un driver gate e la previsione della temporizzazione di accensione/spegnimento.

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