MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 3 Ω Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFBE30PBF

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

2,76 €

(IVA esclusa)

3,37 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 124 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 92,76 €
10 - 492,68 €
50 - 992,57 €
100 - 2492,43 €
250 +2,30 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
541-1124
Codice Distrelec:
171-15-208
Codice costruttore:
IRFBE30PBF
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

IRFBE30

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.41mm

Altezza

9.01mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFBE30 di Vishay, tensione drain-source 800 V, corrente di drenaggio continua 4,1 A - IRFBE30PBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per attività di commutazione e amplificazione in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di temperature e viene fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante con tre pin, il che lo rende adatto per progetti di alimentazione utilizzabili in cui la gestione termica e la facilità di montaggio sono priorità.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 800 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico moderate
• La dissipazione di potenza di 125 W consente una gestione del calore sostanziale
• L'Rds(on) massimo di 3 Ω semplifica i requisiti di azionamento a basse velocità di commutazione
• La carica gate tipica di 78 nC riduce le esigenze energetiche del gate drive
• Il limite gate-sorgente 20 V protegge il gate sotto le normali tensioni di controllo

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per l'alimentazione in modalità commutata Strumentazione
• Utilizzato con regolatori lineari discreti che richiedono Vds elevati
• Può essere utilizzato per il controllo di motori industriali a correnti moderate
• Adatto per prototipi a foro passante e lavori di riparazione

Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, supportando applicazioni esposte a ampie variazioni ambientali.

Come viene montato e collegato il componente su un circuito?


Utilizza un contenitore TO-220AB a foro passante con tre pin per un facile montaggio su circuito stampato e un fissaggio convenzionale del dissipatore di calore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?


Mantenere l'ampiezza dell'azionamento del gate entro un massimo di 20 V per evitare di superare la tensione nominale del gate-source e progettare i circuiti di azionamento per fornire una carica del gate di circa 78 nC per una commutazione efficace.

Che tipo di modalità di conduzione utilizza?


Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, che richiede una tensione di gate positiva rispetto alla sorgente da condurre.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.