MOSFET Vishay, canale N, 3 Ω, 4,1 A, TO-220AB, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale N, 3 Ω, 4,1 A, TO-220AB, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 541-1124
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,1 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.7mm
Lunghezza	10.41mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	78 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.01mm

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