MOSFET Nexperia, canale N, 4,1 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:
169-7207
Codice costruttore:
PSMN3R4-30PL,127
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4,1 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.15V

Tensione di soglia gate minima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

114 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.3mm

Larghezza

4.7mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

64 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Altezza

16mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, fino a 30 V.



Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

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