MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 3 Ω Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Codice RS:
178-0818
Codice costruttore:
IRFBE30PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

IRFBE30

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.41mm

Altezza

9.01mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFBE30 di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 4,1 A - IRFBE30PBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N a foro passante progettato per la commutazione e il controllo della potenza nell'elettronica industriale. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento adatto per applicazioni ad alta tensione, offrendo una combinazione di gestione della tensione e capacità di azionamento del gate per sistemi elettrici impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione drain‐source di 800 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico moderate • Rds massimo di 3 Ω riduce la perdita di corrente durante la conduzione • La carica di gate tipica di 78 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile • La dissipazione di potenza 125 W gestisce lo stress termico nei circuiti di potenza • L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C resiste ad ampie temperature estreme

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione • Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per relè a stato solido e circuiti di protezione • Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei pannelli di automazione

Quali limiti di tensione del gate devo osservare durante la progettazione?


L'azionamento del gate deve rimanere entro un limite massimo di ±20 V rispetto alla sorgente per evitare la sollecitazione dell'ossido del gate.

Come deve essere affrontata la gestione termica su un circuito stampato?


Utilizzare un dissipatore sul contenitore TO‐220AB o una soluzione di montaggio termicamente conduttiva per dissipare fino a 125 W di potenza in condizioni nominali.

Quali caratteristiche di commutazione influenzano le EMI nel mio design?


La carica tipica del gate di 78 nC all'azionamento del gate specificato influisce sui tempi di salita e discesa, influenzando le transizioni di commutazione e le emissioni elettromagnetiche.

Questo dispositivo è adatto per le tecniche di montaggio superficiale?


È fornito in un contenitore a foro passante TO‐220AB progettato per il montaggio meccanico e l'assemblaggio a foro passante convenzionale.

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