MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 0.483 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Codice RS:
653-140
Codice costruttore:
SIHP11N80AEF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

EF

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.483Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 8 A - SIHP11N80AEF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di controllo e conversione di potenza industriali. Funziona come transistor in modalità di potenziamento a canale N in un contenitore TO‐220AB a foro passante, offrendo un'opzione pratica per gli ingegneri che richiedono un componente discreto per il montaggio a livello di scheda e la gestione termica in ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio 800 V che consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 8 A che supporta correnti di carico moderate • Rds(on) 0,483Ω che riduce le perdite di conduzione sotto carico • Dissipazione di potenza di 78 W per un'efficace gestione termica • Carica gate tipica 27 nC per una dinamica di commutazione prevedibile • Temperatura d'esercizio massima di 150 °C per l'uso a temperature elevate

Applicazioni


• Adatto per le estremità frontali dell'azionamento del motore industriale che gestiscono alta tensione • Ideale per gli alimentatori che richiedono elementi di commutazione ad alta tensione • Utilizzato per gli stadi inverter in sistemi elettrici di media potenza • Può essere utilizzato per i circuiti di frenata e snubber nelle apparecchiature di automazione

Quale intervallo di tensione del gate deve essere osservato per un funzionamento sicuro?


Il dispositivo richiede escursioni del gate entro un massimo di ±30 V rispetto alla sua sorgente per evitare sovratensioni del gate.

In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica su una scheda popolata?


Il formato a foro passante TO‐220AB consente il dissipamento diretto alla linguetta posteriore, migliorando la conduzione a un dissipatore esterno e facilitando la rimozione di 78 W di potenza dissipata con un raffreddamento appropriato.

Quali sono le condizioni ambientali che ne limitano l'impiego?


Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C di temperatura di giunzione

il design termico del sistema deve garantire che le temperature di giunzione rimangano al di sotto del limite di 150 °C.

Quali considerazioni sulla commutazione derivano dalla cifra di carica del gate?


Una carica gate tipica di 27 nC consente ai progettisti di stimare i requisiti di corrente di azionamento e le perdite di commutazione durante la selezione di un driver gate e la previsione della temporizzazione di accensione/spegnimento.

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