MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 800 V, 0.483 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 653-140
- Codice costruttore:
- SIHP11N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
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- Codice RS:
- 653-140
- Codice costruttore:
- SIHP11N80AEF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.483Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 78W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.483Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 78W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 8 A - SIHP11N80AEF-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
Applicazioni
Quale intervallo di tensione del gate deve essere osservato per un funzionamento sicuro?
In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica su una scheda popolata?
Quali sono le condizioni ambientali che ne limitano l'impiego?
Quali considerazioni sulla commutazione derivano dalla cifra di carica del gate?
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