MOSFET Infineon, canale N, 70 mΩ, 23 A, TO-220AB, Su foro

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Infineon IRF3315 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo 150V in contenitore TO-220AB.

Struttura di celle planari per SOA estesa
Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.