MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 304 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

Codice RS:: 210-4992
Codice costruttore:: SIHP15N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 800 V, 304 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Codice RS:: 210-4992
Codice costruttore:: SIHP15N80AE-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	E
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	304mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	53nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	156W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	9.96mm
	Lunghezza	27.69mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	4.24mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie E
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 304mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 53nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 156W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 9.96mm
	Lunghezza 27.69mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 4.24mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHP15N80AE

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 13 A - SIHP15N80AE-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per il montaggio a foro passante nei circuiti di conversione e controllo di potenza. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una resistenza a tensioni elevate, una capacità di corrente continua moderata e una commutazione in modalità di potenziamento azionata da gate. Il dispositivo viene fornito in un contenitore TO-220AB con tre pin per l'installazione su scheda convenzionale o con dissipatore.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 800 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 13 A supporta l'erogazione di carichi sostenuti
• Rds(on) di 304 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione in fase di commutazione
• La dissipazione di potenza di 156 W consente una gestione termica significativa
• La carica totale del gate di 53 nC mantiene i requisiti di azionamento del gate prevedibili
• La tolleranza gate-source di 30 V consente margini di tensione di azionamento robusti

Applicazioni

• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato per circuiti snubber e pinza negli inverter industriali
• Ideale per le fasi di potenza in modalità commutata nei comandi di illuminazione
• Può essere utilizzato per le estremità frontali dell'azionamento del motore con montaggio a foro passante
• Utilizzato con piattaforme di prova da laboratorio che richiedono una gestione di tensione elevata

Quale intervallo ambientale può tollerare in installazioni impegnative?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti freddi e ad alta temperatura.

Come viene montato il componente per un'efficace dissipazione del calore?

Il contenitore TO-220AB è progettato per il fissaggio a foro passante e può essere montato su un dissipatore per migliorare le prestazioni termiche.

Che tipo di canale e modalità di conduzione utilizza?

Il dispositivo è un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, che richiede un azionamento gate positivo per condurre.

Quali caratteristiche elettriche determinano la caduta di tensione di commutazione?

Il parametro di tensione diretta di 1,2 V è indicativo del comportamento della tensione di conduzione del dispositivo durante il flusso di corrente diretta.