MOSFET Vishay, canale N, 850 mΩ, 8,7 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 787-9181
- Codice costruttore:
- SIHP8N50D-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
1,27 €
(IVA esclusa)
1,55 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 5 - 45 | 1,27 € | 6,35 € |
| 50 - 120 | 1,142 € | 5,71 € |
| 125 - 245 | 1,016 € | 5,08 € |
| 250 - 495 | 0,952 € | 4,76 € |
| 500 + | 0,89 € | 4,45 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 787-9181
- Codice costruttore:
- SIHP8N50D-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, serie D ad alta tensione, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 8,7 A |
| Tensione massima drain source | 500 V |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Serie | D Series |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 850 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 3V |
| Dissipazione di potenza massima | 156 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 10.51mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 15 nC a 10 V |
| Larghezza | 4.65mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 9.01mm |
- Codice RS:
- 787-9181
- Codice costruttore:
- SIHP8N50D-GE3
- Costruttore:
- Vishay