MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 850 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRF840PBF
- Codice RS:
- 281-6028
- Codice Distrelec:
- 304-42-105
- Codice costruttore:
- IRF840PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 281-6028
- Codice Distrelec:
- 304-42-105
- Codice costruttore:
- IRF840PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF840 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 850mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF840 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 850mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza Vishay serie IRF840, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, dissipazione di potenza 125 W - IRF840PBF
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a semiconduttore ad alta tensione progettato per la commutazione e l'amplificazione nell'elettronica di potenza. Funziona su un'ampia gamma di temperature e viene fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante adatto per dissipatori di calore. Il componente è conforme alla direttiva RoHS e utilizza una topologia di potenziamento a canale N per controllare la conduzione drain-sorgente nei circuiti ad alta tensione.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale drain-source di 500 V per applicazioni ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta carichi sostenuti
• Dissipazione di potenza di 125 W per una gestione termica elevata
• L'Rds(on) di 850 mΩ bilancia le perdite di conduzione e la semplicità di controllo
• La carica totale del gate di 63 nC consente un controllo di commutazione prevedibile
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V consente un azionamento gate robusto
• La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta carichi sostenuti
• Dissipazione di potenza di 125 W per una gestione termica elevata
• L'Rds(on) di 850 mΩ bilancia le perdite di conduzione e la semplicità di controllo
• La carica totale del gate di 63 nC consente un controllo di commutazione prevedibile
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V consente un azionamento gate robusto
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di uscita dell'alimentazione a commutazione
• Utilizzato con circuiti di azionamento motore ad alta tensione
• Ideale per gli elementi di commutazione degli inverter industriali
• Può essere utilizzato per i transistor high-side del convertitore CC-CC
• Utilizzato per piattaforme di test di alimentazione di laboratorio e schede prototipi
• Utilizzato con circuiti di azionamento motore ad alta tensione
• Ideale per gli elementi di commutazione degli inverter industriali
• Può essere utilizzato per i transistor high-side del convertitore CC-CC
• Utilizzato per piattaforme di test di alimentazione di laboratorio e schede prototipi
Quali temperature ambientali può tollerare durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.
Come deve essere montato per ottenere prestazioni termiche ottimali?
Il formato a foro passante TO-220AB è progettato per il fissaggio a un dissipatore utilizzando la linguetta e il dispositivo di fissaggio per ottimizzare la conduzione termica.
Quali sono i vincoli del gate drive che i progettisti devono rispettare?
La tensione della sorgente gate non deve superare i 20 V
i circuiti di pilotaggio gate tipici devono fornire transizioni controllate per gestire la carica gate di 63 nC.
Esistono garanzie di livello automobilistico per l'uso nei veicoli?
Non è elencato come dispositivo standard per il settore automobilistico, pertanto i progettisti devono valutare l'idoneità prima delle applicazioni dei veicoli.
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