MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 520 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFB11N50APBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
541-1944
Codice costruttore:
IRFB11N50APBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

IRFB11N50A

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

520mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.41mm

Altezza

9.01mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFB11N50A di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, corrente di drenaggio continua 11 A - IRFB11N50APBF


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per il montaggio su scheda a foro passante in contesti industriali ed elettronici di potenza. Funziona in un ampio intervallo di temperature, supporta correnti e tensioni di commutazione consistenti ed è fornito in un contenitore TO-220AB per un facile fissaggio del dissipatore e del telaio.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 500 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 11 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La dissipazione massima di 170 W consente una commutazione di potenza significativa
• Rds(on) di 520 mΩ fornisce perdite di conduzione prevedibili
• La carica di gate tipica di 52 nC consente una progettazione controllata del gate drive
• Il limite di gate a 30 V protegge da tensioni di azionamento eccessive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con gruppi MOSFET discreti negli inverter di potenza
• Può essere utilizzato per regolatori di potenza e controller a commutazione
• Adatto per impianti di prova di alimentazione di laboratorio e prototipi

Quale gamma termica posso aspettarmi per le condizioni sul campo e di stoccaggio?


Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti difficili.

Come viene montato e raffreddato il dispositivo in un sistema?


Il formato a foro passante TO-220AB consente il fissaggio a un dissipatore esterno o a un telaio per un trasferimento termico migliorato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono importanti per prevenire i danni?


Mantenere la tensione del gate entro un limite di 30 V e progettare il driver per caricare circa 52 nC per commutare in modo affidabile.

In che modo la tensione diretta influisce sulla conduzione nei circuiti?


La tensione diretta di 1,5 V influisce sulle perdite totali del sistema durante la conduzione e deve essere inclusa nei calcoli termici e di efficienza.

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