MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 520 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFB11N50APBF

Codice RS:: 178-0823
Codice costruttore:: IRFB11N50APBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 520 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFB11N50APBF

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

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Codice RS:: 178-0823
Codice costruttore:: IRFB11N50APBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	11A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	500V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	IRFB11N50A
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	520mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	170W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	52nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-30V, +30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	4.7mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	9.01mm
	Lunghezza	10.41mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 11A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie IRFB11N50A
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 520mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 170W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 4.7mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 9.01mm
	Lunghezza 10.41mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

MOSFET di potenza serie IRFB11N50A di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, corrente di drenaggio continua 11 A - IRFB11N50APBF

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per il montaggio su scheda a foro passante in contesti industriali ed elettronici di potenza. Funziona in un ampio intervallo di temperature, supporta correnti e tensioni di commutazione consistenti ed è fornito in un contenitore TO-220AB per un facile fissaggio del dissipatore e del telaio.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 500 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 11 A supporta la gestione di carichi pesanti
• La dissipazione massima di 170 W consente una commutazione di potenza significativa
• Rds(on) di 520 mΩ fornisce perdite di conduzione prevedibili
• La carica di gate tipica di 52 nC consente una progettazione controllata del gate drive
• Il limite di gate a 30 V protegge da tensioni di azionamento eccessive

Applicazioni

• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato con gruppi MOSFET discreti negli inverter di potenza
• Può essere utilizzato per regolatori di potenza e controller a commutazione
• Adatto per impianti di prova di alimentazione di laboratorio e prototipi

Quale gamma termica posso aspettarmi per le condizioni sul campo e di stoccaggio?

Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti difficili.

Come viene montato e raffreddato il dispositivo in un sistema?

Il formato a foro passante TO-220AB consente il fissaggio a un dissipatore esterno o a un telaio per un trasferimento termico migliorato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono importanti per prevenire i danni?

Mantenere la tensione del gate entro un limite di 30 V e progettare il driver per caricare circa 52 nC per commutare in modo affidabile.

In che modo la tensione diretta influisce sulla conduzione nei circuiti?

La tensione diretta di 1,5 V influisce sulle perdite totali del sistema durante la conduzione e deve essere inclusa nei calcoli termici e di efficienza.