MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 850 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRF840PBF

Codice RS:: 281-6027
Codice Distrelec:: 171-16-205
Codice costruttore:: IRF840PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 850 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRF840PBF

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Codice RS:: 281-6027
Codice Distrelec:: 171-16-205
Codice costruttore:: IRF840PBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	500V
	Serie	IRF840
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	850mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V
	Serie IRF840
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 850mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza Vishay serie IRF840, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, dissipazione di potenza 125 W - IRF840PBF

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a semiconduttore ad alta tensione progettato per la commutazione e l'amplificazione nell'elettronica di potenza. Funziona su un'ampia gamma di temperature e viene fornito in un contenitore TO-220AB a foro passante adatto per dissipatori di calore. Il componente è conforme alla direttiva RoHS e utilizza una topologia di potenziamento a canale N per controllare la conduzione drain-sorgente nei circuiti ad alta tensione.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale drain-source di 500 V per applicazioni ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta carichi sostenuti
• Dissipazione di potenza di 125 W per una gestione termica elevata
• L'Rds(on) di 850 mΩ bilancia le perdite di conduzione e la semplicità di controllo
• La carica totale del gate di 63 nC consente un controllo di commutazione prevedibile
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V consente un azionamento gate robusto

Applicazioni

• Adatto per gli stadi di uscita dell'alimentazione a commutazione
• Utilizzato con circuiti di azionamento motore ad alta tensione
• Ideale per gli elementi di commutazione degli inverter industriali
• Può essere utilizzato per i transistor high-side del convertitore CC-CC
• Utilizzato per piattaforme di test di alimentazione di laboratorio e schede prototipi

Quali temperature ambientali può tollerare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.

Come deve essere montato per ottenere prestazioni termiche ottimali?

Il formato a foro passante TO-220AB è progettato per il fissaggio a un dissipatore utilizzando la linguetta e il dispositivo di fissaggio per ottimizzare la conduzione termica.

Quali sono i vincoli del gate drive che i progettisti devono rispettare?

La tensione della sorgente gate non deve superare i 20 V

i circuiti di pilotaggio gate tipici devono fornire transizioni controllate per gestire la carica gate di 63 nC.

Esistono garanzie di livello automobilistico per l'uso nei veicoli?

Non è elencato come dispositivo standard per il settore automobilistico, pertanto i progettisti devono valutare l'idoneità prima delle applicazioni dei veicoli.