MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 750 mΩ Miglioramento, 9.2 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFB9N60APBF
- Codice RS:
- 541-1922
- Codice costruttore:
- IRFB9N60APBF
- Costruttore:
- Vishay
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- IRFB9N60APBF
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- Vishay
Specifiche
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Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | IRFB9N60A | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 750mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 49nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Altezza | 9.01mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie IRFB9N60A | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 750mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Altezza 9.01mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRFB9N60A di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 9,2 A - IRFB9N60APBF
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per attività di commutazione e amplificazione nell'elettronica industriale. Funziona come dispositivo in modalità di potenziamento ed è fornito in un contenitore a foro passante TO-220AB adatto per il montaggio con dissipatore di calore. Il componente è progettato per funzionare in un'ampia gamma di temperature, il che lo rende adatto per ambienti termici impegnativi.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 9.2 A supporta correnti di carico moderate
• Rds(on) di 750 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione massima di 170 W consente una gestione ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 49 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• La tolleranza del gate di 30 V supporta le tensioni di azionamento del gate standard
• La corrente di drenaggio continua di 9.2 A supporta correnti di carico moderate
• Rds(on) di 750 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione massima di 170 W consente una gestione ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 49 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• La tolleranza del gate di 30 V supporta le tensioni di azionamento del gate standard
Applicazioni
• Adatto per alimentatori offline e SMPS
• Ideale per gli inverter e gli stadi di azionamento del motore
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione induttiva del carico nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per prototipi di fase di potenza su schede di sviluppo a foro passante
• Ideale per gli inverter e gli stadi di azionamento del motore
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione induttiva del carico nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato per prototipi di fase di potenza su schede di sviluppo a foro passante
Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C ambiente, adattandosi agli avvii a bassa temperatura e alle sollecitazioni termiche elevate.
In che modo il contenitore supporta il montaggio e il raffreddamento nei sistemi?
Il profilo TO-220AB consente un fissaggio sicuro a foro passante e un fissaggio diretto a un dissipatore per una migliore conduzione termica.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per le prestazioni di commutazione?
Le tensioni di azionamento devono rimanere entro ±30 V da gate a sorgente
La carica del gate di 49 nC influisce sulla corrente del driver richiesta per una velocità di commutazione mirata.
Il dispositivo è adatto per applicazioni di livello automobilistico?
Non è conforme alle norme automobilistiche ed è quindi consigliato per impieghi industriali piuttosto che certificati per il settore automobilistico.
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