- Codice RS:
- 541-1922
- Codice costruttore:
- IRFB9N60APBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Unità
2,36 €
(IVA esclusa)
2,88 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 2,36 € |
10 - 49 | 2,06 € |
50 - 99 | 1,97 € |
100 - 249 | 1,84 € |
250 + | 1,70 € |
- Codice RS:
- 541-1922
- Codice costruttore:
- IRFB9N60APBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 9,2 A |
Tensione massima drain source | 600 V |
Tipo di package | TO-220AB |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 750 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 170 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Larghezza | 4.7mm |
Lunghezza | 10.41mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 49 nC a 10 V |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 9.01mm |
- Codice RS:
- 541-1922
- Codice costruttore:
- IRFB9N60APBF
- Costruttore:
- Vishay
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