MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 750 mΩ Miglioramento, 9.2 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS9N60APBF

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Codice RS:
178-0850
Codice costruttore:
IRFS9N60APBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

9.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

IRFS9N60A

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFS9N60A di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 9,2 A - IRFS9N60APBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche robuste. Funziona su un intervallo ambientale esteso ed è progettato per l'uso in circuiti di conversione di potenza, commutazione e alta tensione che richiedono una combinazione di gestione della corrente e resistenza alla tensione.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La capacità di corrente continua di 9,2 A supporta carichi moderati
• L'Rds(on) di 750 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione massima di 170 W consente un flusso di potenza significativo
• La carica di gate tipica di 49 nC ottimizza la dinamica di commutazione
• La soglia gate di 30 V consente tensioni di gate drive comuni

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching offline
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Utilizzato per inverter e convertitori di energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per controllori di potenza industriali
• Adatto per progetti di ballast di illuminazione ad alta tensione

Quali estremi termici può tollerare durante il funzionamento?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in un'ampia gamma di ambienti termici.

Come è confezionato il componente per il montaggio su schede?


È fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale, facilitando la dissipazione del calore e l'assemblaggio automatizzato.

Quali sono i limiti di tensione del gate drive da rispettare?


La tensione massima da gate a sorgente è di 30 V, che non deve essere superata per evitare di danneggiare l'ossido di gate.

Il dispositivo utilizza il funzionamento in modalità di potenziamento o di esaurimento?


Si tratta di un MOSFET a canale N in modalità di potenziamento, che richiede un azionamento gate positivo rispetto alla sorgente per la conduzione.

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