MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 750 mΩ Miglioramento, 9.2 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
178-0850
Codice costruttore:
IRFS9N60APBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

IRFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 600V a 1000V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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