MOSFET Littelfuse, canale N 1.7 kV, 750 mΩ Miglioramento, 4.5 A, 7 Pin, TO-263, Superficie LSIC1MO170T0750-TU

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Codice RS:
223-3049
Codice costruttore:
LSIC1MO170T0750-TU
Costruttore:
Littelfuse
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Marchio

Littelfuse

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.7kV

Tipo di package

TO-263

Serie

LSIC1MO170T0750

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

3.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.28mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

16.18mm

Lunghezza

10.18mm

Standard automobilistico

No

I nuovi MOSFET al carburo di silicio (SiC) 1700V e 750mOhm Littelfuse sono presentati in contenitore TO-263-7L. Il pin source separato riduce significativamente il percorso dell'induttanza parassita della sorgente verso il driver, il che contribuisce a migliorare l'efficienza in applicazioni ad alta potenza. La temperatura massima di giunzione d'esercizio è 175 °C.

Questi MOSFET sono ideali per applicazioni ad alta frequenza in cui si desidera un'elevata efficienza.

Ottimizzato per applicazioni ad alta frequenza e ad alta efficienza

Carica di gate e uscita estremamente basse

capacità

Bassa resistenza di gate per la commutazione ad alta frequenza

Operazioni normalmente disattivate a tutte le temperature

Bassissima resistenza in stato attivo

Contenitore ottimizzato con pin sorgente driver separato

MSL 1 nominale

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