MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 825-9235
Codice costruttore:: IPB027N10N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 825-9235
Codice costruttore:: IPB027N10N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

IPB027N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	155 nC a 10 V
Larghezza	9.45mm
Lunghezza	10.31mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	4.57mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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