MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB027N10N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
825-9235
Codice costruttore:
IPB027N10N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

155nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.45 mm

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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