MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 911-0890
Codice costruttore:: IPB027N10N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

2,819 €

(IVA esclusa)

3,439 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1000 +	2,819 €	2.819,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 911-0890
Codice costruttore:: IPB027N10N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

IPB027N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.45mm
Lunghezza	10.31mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	155 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.57mm

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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