MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 850 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 178-0835
- Codice costruttore:
- IRF840APBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Serie | IRF840A | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 850mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Altezza | 9.01mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Serie IRF840A | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 850mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Altezza 9.01mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza Vishay serie IRF840A, tensione drain-source 500 V, corrente di drenaggio continua 8 A - IRF840APBF
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per attività di commutazione e conversione di potenza in sistemi industriali ed elettronici. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è confezionato per il montaggio a foro passante per supportare l'assemblaggio convenzionale del circuito stampato e gli approcci di dissipazione del calore.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 500 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta la gestione del carico moderato • L'Rds(on) di 850 mΩ riduce le perdite di conduzione nei progetti a bassa corrente • La dissipazione di potenza 125 W consente un notevole spazio termico • La carica di gate tipica 38 nC garantisce un comportamento di commutazione prevedibile • Il limite gate-source 30 V garantisce la compatibilità con i comuni driver gate
Applicazioni
• Adatto per la progettazione di alimentatori ad alta tensione e attività di conversione • Ideale per le fasi di commutazione nelle apparecchiature di controllo dell'automazione • Utilizzato per le estremità frontali dell'azionamento del motore che richiedono componenti a foro passante • Può essere utilizzato per i prototipi di inverter e convertitori industriali • Utilizzato con schede di alimentazione discrete che richiedono il montaggio TO-220
Quali temperature d'esercizio posso aspettarmi per un uso affidabile?
Il dispositivo è classificato per funzionare da -55 °C fino a un massimo di 150 °C, supportando condizioni ambientali difficili e temperature di giunzione elevate con una gestione termica appropriata.
Quali considerazioni sull'imballaggio influenzano il raffreddamento e il montaggio?
Il contenitore TO-220AB a foro passante con tre pin consente il fissaggio diretto a dissipatori o piastre del telaio, facilitando il raffreddamento a conduzione e la saldatura diretta su schede tradizionali.
In che modo la carica del gate influisce sulla selezione del driver?
Con una carica gate tipica di 38 nC all'azionamento gate specificato, è necessario scegliere un driver gate in grado di erogare una corrente di picco sufficiente per ottenere la velocità di commutazione desiderata senza eccessive perdite di azionamento.
Quali sono i limiti di tensione e corrente che i progetti devono rispettare?
La corrente di drenaggio continua deve essere mantenuta a 8 A o inferiore, e la tensione di drenaggio-sorgente non deve superare 500 V per evitare sovratensioni del dispositivo.
Esistono vincoli materiali o normativi da considerare?
Il componente viene fornito in una forma conforme alla direttiva RoHS, che indica l'adesione alle restrizioni standard su alcune sostanze pericolose.
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