MOSFET Vishay, canale Tipo N 500 V, 850 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 178-0872
- Codice costruttore:
- IRF840SPBF
- Costruttore:
- Vishay
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-0872
- Codice costruttore:
- IRF840SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Serie | IRF840S | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 850mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.1W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Serie IRF840S | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 850mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.1W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
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