MOSFET di potenza Vishay, canale N 500 V, 850 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF840SPBF

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Codice RS:
178-0872
Codice costruttore:
IRF840SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-263

Serie

IRF840S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

850mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.41mm

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza Vishay serie IRF840S, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, dissipazione di potenza massima 125 W - IRF840SPBF


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in sistemi di conversione e controllo di potenza. Funziona in un ampio intervallo termico ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una gestione robusta della tensione e una capacità di corrente moderata, come ad esempio gli alimentatori industriali e le fasi di commutazione ad alta tensione.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 500 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8 A supporta correnti di carico sostenute
• La dissipazione di potenza di 125 W consente una gestione ad alta potenza
• L'Rds(on) di 850 mΩ riduce le perdite di conduzione alle correnti d'esercizio
• La carica di gate tipica di 63 nC consente prestazioni di commutazione prevedibili
• Il limite gate-source a 20 V fornisce un ampio margine gate-drive

Applicazioni


• Adatto per stadi di commutazione di alimentazione ad alta tensione
• Ideale per i front-end dell'inverter dell'azionamento del motore
• Utilizzato con topologie del convertitore boost in unità industriali
• Può essere utilizzato per moduli di rettifica di potenza in modalità commutata
• Adatto per la commutazione di carichi ad alta tensione nelle apparecchiature di test

Quale metodo di montaggio è necessario per un assemblaggio affidabile?


Viene fornito in un contenitore TO-263 configurato per il montaggio superficiale su circuito stampato, consentendo la saldatura a riflusso e il collegamento termico ad un'area in rame del circuito stampato.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?


La giunzione è classificata per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampie oscillazioni ambientali e termiche.

Quali limitazioni dell'azionamento del gate devono essere rispettate?


La tensione gate-source non deve superare 20 V per evitare danni al dispositivo, pertanto i circuiti gate-drive devono includere un'adeguata morsettiera o un controllo di livello.

Esistono qualifiche automobilistiche per questo componente?


Non è specificato come conforme alle norme automobilistiche, pertanto non deve essere considerato di grado automobilistico per le applicazioni di sicurezza dei veicoli.

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