MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 500 V, 350 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
188-8281
Codice costruttore:
STB12NM50T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

TO-263

Serie

STP12NM50

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.37mm

Larghezza

9.35 mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET che associa il processo Di Drain Multiplo al layout orizzontale PowerMESH™della società. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resistenza all'accensione, un elevato dv/dt impressionante ed eccellenti caratteristiche di valanghe. L'adozione della tecnica proprietaria di strip produce prestazioni dinamiche complessive.

Elevata capacità dv/dt e valanghe

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Controllo rigoroso dei processi e rese di produzione elevate

Bassa resistenza di ingresso del gate

Applications

Applicazione di commutazione

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