MOSFET STMicroelectronics, canale N, 350 mΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET che associa il processo Di Drain Multiplo al layout orizzontale PowerMESH™della società. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resistenza all'accensione, un elevato dv/dt impressionante ed eccellenti caratteristiche di valanghe. L’adozione della tecnica proprietaria di strip produce prestazioni dinamiche complessive significativamente migliori rispetto a quelle dei prodotti simili della concorrenza.

Elevata capacità dv/dt e valanghe
Testato con effetto valanga al 100%
Bassa capacità di ingresso e carica del gate
Controllo rigoroso dei processi e rese di produzione elevate
Bassa resistenza di ingresso del gate
Applications
Applicazione di commutazione