MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 500 V, 350 mΩ Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-220FP, Foro passante

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Codice RS:
151-411
Codice costruttore:
STP12NM50FP
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

MDmesh

Tipo di package

TO-220FP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

30.6mm

Lunghezza

15.85mm

Larghezza

10.4 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-29-903

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics, questo dispositivo è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh, che associa il processo a drenaggio multiplo al layout orizzontale PowerMESH dell'azienda. Questi dispositivi offrono una resistenza di accensione estremamente bassa, un elevato dv/dt ed eccellenti caratteristiche di valanga. Utilizzando la tecnica di strip proprietaria della ST, questi MOSFET di potenza vantano prestazioni dinamiche complessive superiori a quelle di prodotti simili presenti sul mercato.

100% testato a valanga

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Bassa resistenza di ingresso del gate

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