MOSFET IXYS, canale Tipo N 650 V, 850 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
146-1778
Codice costruttore:
IXTP4N65X2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

X2-Class

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

850mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

80W

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.3mm

Larghezza

15.9 mm

Altezza

4.7mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS X2-Class


La serie di MOSFET di potenza classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.

RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti

Diodo raddrizzatore intrinseco

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori conformi allo standard industriale

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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