MOSFET IXYS, canale N 650 V, 52 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-268, Superficie

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Codice RS:
146-4378
Codice Distrelec:
302-53-402
Codice costruttore:
IXFT60N65X2HV
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-268

Serie

HiperFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Dissipazione di potenza massima Pd

780W

Tensione diretta Vf

1.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

5.1mm

Lunghezza

16.05mm

Larghezza

15.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Bassa resistenza RDS(ON) e QG

Diodo rapido

Resistenza dv/dt

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori standard internazionali

Alimentatori switching risonanti

Scarica ad alta intensità (HID) e resistenza delle lampadine

Azionamenti per motori c.a. e c.c.

Convertitori cc-cc

Robotica e controllo servo

Caricabatterie

Inverter solari a 3 livelli

Illuminazione a LED

Veicoli aerei senza equipaggio (UAV)

Maggiore efficienza

Alta densità di potenza

Facile da montare

Risparmio di spazio

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