MOSFET IXYS, canale Tipo N 650 V, 52 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH60N65X2

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

238,92 €

(IVA esclusa)

291,48 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 270 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 1207,964 €238,92 €
150 - 2707,335 €220,05 €
300 +7,151 €214,53 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
146-4234
Codice costruttore:
IXFH60N65X2
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

HiperFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

780W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.13mm

Altezza

21.34mm

Larghezza

5.21 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Bassi valori R e Q

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Vantaggi

Elevata densità di potenza

Facile da montare

Risparmio di spazio

Applicazioni

Alimentatori switching e in modalità risonante

Convertitori cc-cc

Circuiti PFC

Azionamenti per motori c.a. e c.c.

Robotica e controlli servo

Link consigliati