MOSFET IXYS, canale Tipo N 650 V, 52 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
146-4372
Codice Distrelec:
302-53-331
Codice costruttore:
IXFH60N65X2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

HiperFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

780W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

21.34mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.13mm

Standard automobilistico

No

Bassi valori R e Q

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Vantaggi

Elevata densità di potenza

Facile da montare

Risparmio di spazio

Applicazioni

Alimentatori switching e in modalità risonante

Convertitori cc-cc

Circuiti PFC

Azionamenti per motori c.a. e c.c.

Robotica e controlli servo

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