MOSFET IXYS, canale Tipo N 650 V, 17 mΩ Miglioramento, 145 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

49,94 €

(IVA esclusa)

60,93 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 13 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 449,94 €
5 +44,69 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
146-4398
Codice Distrelec:
302-53-364
Codice costruttore:
IXFN150N65X2
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

145A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

HiperFET

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

335nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.04kW

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.6mm

Larghezza

25.07 mm

Lunghezza

38.23mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

30253364

Standard automobilistico

No

Bassa resistenza RDS(ON) e QG

Diodo rapido

Resistenza dv/dt

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori standard internazionali

Alimentatori switching risonanti

Scarica ad alta intensità (HID) e resistenza delle lampadine

Azionamenti per motori c.a. e c.c.

Convertitori cc-cc

Robotica e controllo servo

Caricabatterie

Inverter solari a 3 livelli

Illuminazione a LED

Veicoli aerei senza equipaggio (UAV)

Maggiore efficienza

Alta densità di potenza

Facile da montare

Risparmio di spazio

Link consigliati