MOSFET IXYS, canale N 650 V, 30 mΩ Miglioramento, 76 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie
- Codice RS:
- 168-4820
- Codice costruttore:
- IXTN102N65X2
- Costruttore:
- IXYS
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-4820
- Codice costruttore:
- IXTN102N65X2
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 76A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | SOT-227 | |
| Serie | X2-Class | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 152nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 595W | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 9.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 25.42mm | |
| Lunghezza | 38.23mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 76A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package SOT-227 | ||
Serie X2-Class | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 152nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 595W | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 9.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 25.42mm | ||
Lunghezza 38.23mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- US
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS X2-Class
La serie di MOSFET di potenza classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.
RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti
Diodo raddrizzatore intrinseco
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori conformi allo standard industriale
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
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