MOSFET IXYS, canale Tipo N 800 V, 190 mΩ Miglioramento, 37 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello
- Codice RS:
- 804-7571
- Codice Distrelec:
- 302-53-374
- Codice costruttore:
- IXFN44N80Q3
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 unità*
50,38 €
(IVA esclusa)
61,46 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 28 giugno 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 + | 50,38 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 804-7571
- Codice Distrelec:
- 302-53-374
- Codice costruttore:
- IXFN44N80Q3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 37A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Tipo montaggio | Pannello | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 190mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 780W | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 185nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 9.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 38.23mm | |
| Larghezza | 25.07mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 37A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Tipo montaggio Pannello | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 190mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 780W | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 185nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 9.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 38.23mm | ||
Larghezza 25.07mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS
I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.
Diodo raddrizzatore intrinseco rapido
RDS(on) e QG (carica gate) ridotti
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitori conformi allo standard industriale
Contenitore a bassa induttanza
Alta densità di potenza
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Link consigliati
- MOSFET IXYS 190 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello IXFN44N80Q3
- MOSFET IXYS 140 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello
- MOSFET IXYS 140 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello IXFN60N80P
- MOSFET IXYS 24 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello
- MOSFET IXYS 65 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello
- MOSFET IXYS 14.5 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello
- MOSFET IXYS 49 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello
- MOSFET IXYS 70 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello