MOSFET IXYS, canale Tipo N 800 V, 190 mΩ Miglioramento, 37 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello

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Codice RS:
804-7571
Codice Distrelec:
302-53-374
Codice costruttore:
IXFN44N80Q3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

37A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

185nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

780W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.07 mm

Altezza

9.6mm

Lunghezza

38.23mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30253374

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

RDS(on) e QG (carica gate) ridotti

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitori conformi allo standard industriale

Contenitore a bassa induttanza

Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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